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    核辐射条件下磁性器件的动态效应

    2016/8/24 11:37:27

    正核爆炸瞬间释放的中子、γ射 线和核电磁脉冲对磁性材料及器件会产生各种影响,引起性能变化。中子能使磁性材料产生永久性损伤的主要原因是高能中子与材料相互作用使晶格原子产生位移效 应。γ辐射可引起电离效应,产生瞬时光电流,对材料及器件造成瞬时干扰,甚至永久性损伤。静态实验证明,当中子流量达10~(16)中子/厘米~2、γ剂 量率为10~8拉德(硅)/秒时,磁性器件的性能无显著改变。核爆瞬间,在相当大的范围内产生强大的电磁脉冲,其电场强度为10~4—10~5伏/米,脉 冲波形持续时间为几百10~(-9)秒,频谱范围从10~2千赫兹到10~2兆赫兹。由于磁性器件外部屏蔽不完善或结构本身的孔隙,使外部电磁脉冲可以渗 透到内部。即使屏蔽很完善,在几百公里范围内的强γ辐射也会在器件内部感生内电磁脉冲。这些都会干扰或破坏磁性器件的正常工作性能。因此在核辐射条件下, 研究这些材料和器件的动态性能具有重要意义。

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